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 三星電子(Samsung Electronics)決定引進(jìn)極紫外光微影制程(EUV)設(shè)備，加速發(fā)展晶圓代工事業(yè)，意圖加速超越臺(tái)積電等競(jìng)爭(zhēng)者。不僅如此，近三星電子還開(kāi)放為韓系中小型IC設(shè)計(jì)業(yè)者代工200mm(8吋)晶圓，積極擴(kuò)展晶圓代工客戶。

　　據(jù)韓媒ET News報(bào)導(dǎo)，三星集團(tuán)(Samsung Group)從2016年初對(duì)三星電子系統(tǒng)LSI事業(yè)部進(jìn)行經(jīng)營(yíng)診斷，原本計(jì)劃3月底結(jié)束診斷作業(yè)，因故延長(zhǎng)至4月，終評(píng)估后決定引進(jìn)EUV設(shè)備，目標(biāo)2017年量產(chǎn)7納米制程。

　　經(jīng)營(yíng)診斷過(guò)程中有部分意見(jiàn)認(rèn)為，在考量客戶資訊保密與營(yíng)運(yùn)效率下，應(yīng)將晶圓代工事業(yè)獨(dú)立分割，但后依舊決定在維持現(xiàn)行體系下，以先進(jìn)技術(shù)超越同業(yè)競(jìng)爭(zhēng)者，并積極爭(zhēng)取更多元的客戶群。

　　據(jù)了解，三星電子將在近期內(nèi)向荷蘭微影設(shè)備大廠ASML購(gòu)買(mǎi)新款EUV掃描機(jī)NXE:3400，交期定在2017年2~3季，待機(jī)臺(tái)裝設(shè)完成后將用于2017年底的7納米制程量產(chǎn)。

　　傳ASML總裁Peter Wennink將在本周訪韓，與三星電子討論EUV設(shè)備采購(gòu)案;這將是三星電子首次在生產(chǎn)線上使用EUV設(shè)備。

　　日前三星電子系統(tǒng)LSI事業(yè)部在美矽谷舉行一場(chǎng)非公開(kāi)的三星晶圓代工論壇，對(duì)客戶與合作廠商發(fā)表引入EUV設(shè)備的計(jì)劃。

　　與會(huì)業(yè)者表示，三星電子決定采用EUV設(shè)備，意味著將推出有別于臺(tái)積電的“完美的7納米”，同時(shí)象征三星電子認(rèn)為，光靠浸潤(rùn)式微影(Immersion Lithography)設(shè)備恐難完成7納米制程。

　　EUV設(shè)備多用于新一代系統(tǒng)半導(dǎo)體、晶圓代工制程。三星電子希望借由在7納米系統(tǒng)半導(dǎo)體制程中導(dǎo)入EUV，為客戶生產(chǎn)完美的7納米產(chǎn)品。臺(tái)積電目前仍無(wú)導(dǎo)入EUV設(shè)備量產(chǎn)的計(jì)劃。

　　曝光顯影過(guò)程是一連串半導(dǎo)體復(fù)雜的制程中關(guān)鍵的部分，目前主流是采193納米波長(zhǎng)的氟化氬(ArF)準(zhǔn)分子雷射光與浸潤(rùn)式技術(shù)的微影設(shè)備。由于技術(shù)上只能轉(zhuǎn)印38納米的電路圖，半導(dǎo)體業(yè)者有小于30納米的曝光顯影需求時(shí)，通常需分2~3次進(jìn)行，因此也使成本提高。

　　極紫外光(EUV)是介于紫外線(UV)與X光(X-line)之間的電磁波，波長(zhǎng)為13.5納米，可刻畫(huà)小于10納米的電路圖案，至今尚未用于量產(chǎn)乃因EUV的晶圓處理速度較浸潤(rùn)式設(shè)備來(lái)得慢。

　　半導(dǎo)體制程專家表示，三星電子將會(huì)把EUV設(shè)備用于處理閘極(Gate)等重要電路圖案顯影，其余制程則采用浸潤(rùn)式設(shè)備與多重曝光(Patterning)技術(shù)。

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